TZM5240B-GS08 的参数 |
| 额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小
min. |
|
| 平均
Typ. |
10V |
| 最大
max. |
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| 误差
Tolerance |
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| 最大齐纳阻抗Zz(Ω)
Dynamic Impedance |
17Ω/ohm |
| 最大反向漏电流IR(uA)
Reverse Current |
3uA |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Silicon ZENER Diodes Very sharp reverse characteristic Very high stability Electrical data identical with the devices 1N5221B...1N5267B Low reverse current level VZ–tolerance ± 5% |
| 描述与应用 |
硅稳压二极管 非常尖锐的反向特性 非常高的稳定性？ 电气与设备相同的数据 1N5221B1N5267B 低反向电流水平 VZ-公差±5％ |
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