TPCF8B01 F8A 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.7A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
110m?@ VGS = -4.5V, ID = -1.4mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.5~-1.2V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.46V@IF=1A |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
530mW/0.53W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) / Schottky Barrier Diode Notebook PC Applications Portable Equipment Applications · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 72 mù (typ.) · High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.7 S (typ.) · Low leakage current: IDSS = -10 ìA (max) (VDS = -20 V) · Enhancement-model: Vth = -0.5 to -1.2 V(VDS =-10 V, ID = -200 ìA) · Low forward voltage: VFM = 0.46V(typ.) |
| 描述与应用 |
东芝多芯片器件硅P沟道MOS类型（U-MOS III）/肖特基势垒二极管 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ·低漏源导通电阻RDS（ON）=72亩（典型值） ·高正向转移导纳：| YFS|=4.7 S（典型值） ·低漏电流IDSS=-10 IA（最大）（VDS=-20 V） ·增强模型：Vth =-0.5?-1.2 V（VDS= -10 V，ID=-200 IA） ·低正向电压：VFM=0.46V（典型值） |
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