TPCF8201 F4A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
49m?@ VGS = 4.5V, ID = 1500mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
530mW/0.53W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 38 mΩ (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.4 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 20 V) ? Enhancement-mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 μA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOS III） 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?低漏源导通电阻RDS（ON）=38mΩ（典型值） ?高正向转移导纳：| YFS|= 5.4 S（典型值） ?低漏电流IDSS= 10μA（最大）（VDS=20 V） ?增强模式：Vth =0.5?1.2 V （VDS=10V，ID=200μA） |
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