TPC8303 TPC8303 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.5A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
27mΩ~35mΩ VGS = ??10 V, ID = ??2.2 A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8V~-2V VDS = ??10 V, ID = ??1 mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
0.75W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U??MOSII) .
*Lithium Ion Battery Applications
*Portable Equipment Applications
*Notebook PCs
* Low drain??source ON resistance : RDS (ON) = 27 mΩ (typ.)
* High forward transfer admittance : |Yfs| = 7 S (typ.)
* Low leakage current : IDSS = ??10 ??A (max) (VDS = ??30 V)
* Enhancement??mode : Vth = ??0.8~ ??2.0 V (VDS = ??10 V, ID = ??1 mA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（U-MOSII）。
*锂离子电池的应用
*便携式设备的应用
*笔记本电脑
*低漏源导通电阻RDS（ON）= 27mΩ（典型值）
*较强的正向转移导纳：| YFS|=7 S（典型值）
*低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-30 V）
*增强模式：VTH =-0.8??-2.0 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安） |
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