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TPC6201
 型号：  TPC6201
 标记/丝印/代码/打字：  S4A
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-163/SOT23-6/CPH6
 批号：  6
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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TPC6201 S4A 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 2.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 95m?@ VGS = 10V, ID = 1300mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.3~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 400mW/0.4W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) HDD Motor Drive Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ● Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 80 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.8 S (typ.) ● Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) ● Enhancement-model: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
描述与应用 东芝场效应晶体管硅N沟道MOS类型（U-MOSII） 硬盘电机驱动应用 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ●低漏源导通电阻RDS（ON）= 80mΩ（典型值） ●高正向转移导纳：| YFS|= 3.8 S（典型值） ●低漏电流IDSS=10μA（最大）（VDS=30 V） ●增强模型：Vth =1.3到2.5 V（VDS=10V，ID= 1 mA时）
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