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TPC6103
 型号：  TPC6103
 标记/丝印/代码/打字：  S3C
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-163/SOT23-6/VS-6
 批号：  08+NOPB29K
 库存数量：  32300
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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TPC6103 S3C 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -5.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.029Ω @-2.8A,-4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.2W
Description & Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 48 m? (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = ?10 μA (max) (VDS = ?20 V) Enhancement-model: Vth = ?0.5 to ?1.2 V (VDS = ?10 V, ID = ?200 μA)
描述与应用 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 48mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|= 8.2 S（典型值） 低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） 增强模式：VTH =-0.5至-1.2 V（VDS= -10 V，ID= -200μA）
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