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TPC6001
 型号:  TPC6001
 标记/丝印/代码/打字:  S2A
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-163/SOT23-6/VS-6
 批号:  05+
 库存数量:  630
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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TPC6001 S2A 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.03Ω/Ohm @3A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.2W
Description & Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications ? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 22 m? (typ.) ? High forward transfer admittance: |Yfs| = 15 S (typ.) ? Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 20 V) ? Enhancement mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VDS = 10 V, ID = 200 μA)
描述与应用 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ?低漏源导通电阻RD(ON)= 22mΩ(典型值) ?高正向转移导纳:| YFS|=15 S(典型值) ?低漏电流IDSS= 10μA(最大)(VDS=20 V) ?增强模式:VTH =0.5至1.2 V(VDS=10V,ID=200μA)
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