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TP2105K1
 型号：  TP2105K1
 标记/丝印/代码/打字：  P1LB
 厂家：  Supertexinc
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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TP2105K1 P1LB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -160mA/-0.16A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 6Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 360mW/0.36W
Description & Applications Features Free from secondary breakdown Low power drive requirement Ease of paralleling Low CISS and fast switching speeds Excellent thermal stability Integral Source-Drain diode High input impedance and high gain Complementary N- and P-channel devices
描述与应用 无二次击穿 低功率驱动器的要求 易于并联 低连续供墨系统和快速开关速度 优良的热稳定性 积分源漏二极管 高输入阻抗，高增益 互补N和P沟道器件
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