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TN2010T
 型号：  TN2010T
 标记/丝印/代码/打字：  R1P
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-323/SC-70
 批号：  5
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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TN2010T R1P 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 200V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current 120mA/0.12A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.011Ω/Ohm @100mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.8-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications Low On-Resistance: 9.5 Secondary Breakdown Free: 220 V Low Power/Voltage Driven Low Input and Output Leakage Excellent Thermal Stability
描述与应用 低导通电阻：9.5？ 二次击穿免费：220V 低功率/电压驱动 低输入和输出泄漏 优良的热稳定性
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