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TM2301N T21 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.095Ω @-2.8A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance |
| 描述与应用 |
先进沟道工艺技术 高密度电池设计超低导通电阻 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| MTM231230LS0 |
BL |
Panasonic |
07+ROHS |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| MTM231230L |
BL |
Panasonic |
07+NOPB |
SOT-323/SC70 |
2000 |
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| NTM2369 |
B32 |
NEC |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
11800 |
三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)-NPN |
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| TM2301N |
T21 |
JAT |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
1900 |
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| MTM231100LBF |
DM |
Panasonic |
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SOT-323/SC70 |
9000 |
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| MTM2311OOL |
DM |
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09NOPB |
SOT-323/SC70 |
0 |
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