|
|
|
|
|
|
|
TG2000F UD 的参数 |
| 频率
Frequency |
|
| P1dB |
|
| 增益
Gain |
19.0dB |
| 噪声系数
Noise Figure |
1.5dB |
| RF 类型
RF Type |
|
| 电源电压
Voltage - Supply |
4V~5V |
| 电源电流
Current - Supply |
11mA |
| 测试频率
Test Frequency |
|
| Description & Applications |
FEATURES ? TOSHIBA mos type Integrated Circuit GaAs Monolithic ? on account of this device built-in bias circuit ,cut down number of articals ? low noise figure : NF = 1.5dB (typ.) ? operating voiltage:Vdd=4~5V |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝MOS型GaAs单片集成电路 ?这个设备内置偏置电路，削减小说章节数 ?低噪声系数：NF=1.5分贝（典型值） ?工作电压：VDD =4?5V |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| TG2000F |
UD |
TOSHIBA |
05+ |
SOT-153/SOT23-5 |
1200 |
集成电路ICIntegrated Circuit（IC）-放大器Amplifier-射频放大器RF Amplifier |
查看 |
|
|
|
