TBB1002BMTL BM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
6V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
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| 最大漏极电流Id
Drain Current |
30MA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
250MW/0.25W |
| Description & Applications |
* Twin Built in Biasing Circuit MOS FET IC VHF/UHF RF Amplifier.
* Small SMD package CMPAK-6 built in twin BBFET; To reduce using parts cost & PC board space.
* Suitable for World Standard Tuner RF amplifier.
* Very useful for total tuner cost reduction.
* Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200 V at C = 200 pF, Rs = 0 conditions.
* Provide mini mold packages; CMPAK-6. |
| 描述与应用 |
* 双内置偏置电路MOS FET的集成电路VHF/ UHF射频放大器。
* 小SMD封装CMPAK-6内置双BBFET;要降低零部件的成本与PC板空间。
* 适用于世界标准调谐器RF放大器。
* 总的调谐器成本降低非常有用的。
* 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200 V C = 200 PF，RS=0条件。
* 提供小型模具包; CMPAK-6。 |
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