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STN4NE03
 型号:  STN4NE03
 标记/丝印/代码/打字:  N4NE03
 厂家:  ST
 封装:  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号:  05+
 库存数量:  890
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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STN4NE03 N4NE03 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.05Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 2.5W
Description & Applications TYPICAL RDS(on) = 0.037 ? EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
描述与应用 典型的RDS(on)= 0.037Ω 出色的的dv / dt能力 AVALANCHERUGGED技术 100%雪崩测试 面向应用
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