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STD38NH02LT4
 型号：  STD38NH02LT4
 标记/丝印/代码/打字：  D38NH02L
 厂家：  ST
 封装：  TO-252/D-PAK
 批号：  05+
 库存数量：  3300
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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STD38NH02LT4 D38NH02L 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 2.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3.3Ω/Ohm @1.6A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 3-5V
耗散功率Pd Power Dissipation 50W
Description & Applications TYPICAL RDS(on) = 3.3 ? EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED
描述与应用 典型的RDS（on）=3.3Ω 非常高的dv/ dt能力 100％雪崩测试 非常低的固有电容 栅极电荷最小化
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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