STD2NB60T4 D2NB60 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
600V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2.6A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
3.3Ω/Ohm @1.6A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
3-5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
50W |
| Description & Applications |
TYPICAL RDS(on) = 3.3 ? EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES GATE CHARGE MINIMIZED |
| 描述与应用 |
典型的RDS（on）=3.3Ω 非常高的dv/ dt能力 100％雪崩测试 非常低的固有电容 栅极电荷最小化 |
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