STC2412G DAG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~700 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV/0.4V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Silicon Transistor ? Low collector saturation voltage : VCE=0.4V(Max.) ? Low output capacitance : Cob=2pF(Typ.) ? Complementary pair with STA1037 Description ? General small signal amplifier |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅晶体管 ?低集电极饱和电压VCE= 0.4V（最大） ?低输出电容：COB=2PF（典型值） ?互补配对STA1037 描述 ?一般的小信号放大器 |
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