S-T111B18MC OGD 的参数 |
电路数量
Number of Regulators |
1 |
输入电压VIN
Voltage - Input |
-0.3~7V |
输出电压VOUT
Voltage - Output |
1.5V |
输出电流Io
Current - Output |
100mA/0.1A |
最大压降VDO
Voltage - Dropout |
280mV/0.28V |
带使能脚EN/CE(ON/OFF功能)
With Enable Pin |
有 Yes |
最大耗散功率Pd
Power dissipation |
600mW/0.6W |
Description & Applications |
HIGH RIPPLE-REJECTION LOW DROPOUT CMOS VOLTAGE REGULATOR ;?Output voltage: 1.5 V to 5.5 V, selectable in 0.1 V steps. ? High-accuracy output voltage: ±1.0% ? Low dropout voltage: 190 mV typ. (3.0 V output product, IOUT = 100 mA) ? Low current consumption: During operation: 50 μA typ., 90 μA max. During shutdown: 0.1 μA typ., 1.0 μA max. ? High peak current capability: 150 mA output is possible (at VIN ≥ VOUT(S) + 1.0 V) ? Built-in ON/OFF circuit: Ensures long battery life. ? Low ESR capacitor can be used: A ceramic capacitor of 0.1 μF or more can be used for the output capacitor. ? High ripple rejection: 80 dB typ. (at 1.0 kHz) ? Built-in overcurrent protector: Overcurrent of output transistor can be restricted |
描述与应用 |
高纹波抑制 低压差CMOS电压稳压器;?输出电压:1.5 V至5.5 V,0.1 V步骤选择。 ?高输出电压精度:±1.0% ?低压差电压:190 mV典型。 (3.0 V输出产品,IOUT= 100 mA时) ?低电流消耗:在操作过程中:50μA(典型值),最大90μA。 休眠时:0.1μA(典型值),1.0μA最大值。 ?高峰值电流能力:输出150 mA(VIN≥VOUT(S)+1.0 V) ?内置开/关控制电路,确保电池寿命长。 ?可以使用低ESR电容:0.1μF以上的陶瓷电容器可用于输出电容。 ?高纹波抑制:80 dB(典型值)。 (1.0千赫) ?内置过载电流保护,可以限制输出晶体管的过载电流 |
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