SST6838 RBR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ?NPN General Purpose Transistor ?BVCEO minimum is 40V.( IC=1mA) ?Complements the SST6839 |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN通用晶体管 ?BVCEO最低为40V（IC=1MA） ?补充SST6839 |
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