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SST215
 型号：  SST215
 标记/丝印/代码/打字：  A215
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-143
 批号：  05+
 库存数量：  760
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SST215 A215 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.045Ω/Ohm 210mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.1-1.5VV
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Ultra-High Speed Switching—tON: ns Ultra-Low Reverse Capacitance: 0.2pF Low Guaranteed rDS @ 5 V Low Turn-On Threshold Voltage N-Channel Enhancement Mode
描述与应用 超高速开关吨：1纳秒 超低反向电容：0.2PF 低保证RDS@5 V 低导通阈值电压 N沟道增强模式
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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