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SST175-T1
 型号:  SST175-T1
 标记/丝印/代码/打字:  S5H
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOT-23/SC59
 批号:  05+
 库存数量:  990
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-P沟道JFET P-Channel
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SST175-T1 S5H 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30 V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage 30 V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current -7.0~-70.0mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage 3.0~6.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications P-Channel JFET SST175 Series FEATURE Fast Switching—tON: 25 ns Low Leakage: –10 pA Low Capacitance: 5 pF Low Insertion Loss BENEFITS Low Error Voltage High-Speed Analog Circuit Performance Negligible “Off-Error,” Excellent Accuracy Good Frequency Response Eliminates Additional Buffering APPLICATIONS Analog Switches Sample-and-Hold Normally “On” Switches Current Limiters
描述与应用 P沟道JFET SST175系列 特点 快速开关:25纳秒 低漏:-10 PA 低电容:5 PF 低插入损耗 好处 误差电压低 高速模拟电路性能 良好的频率响应 无需额外的缓冲 应用 模拟开关 采样和保持 通常情况下开关是“开”状态 电流限制器
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