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SST108
 型号:  SST108
 标记/丝印/代码/打字:  18
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  结型(JFET)-N沟道JFET N-Channel
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SST108 18 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 80ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -3~-10v
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications ?N–Channel JFETs ?Low On-Resistance: J108 <8 ?Fast Switching—tON: 4 ns ?Low Leakage: 20 pA ?Low Capacitance: 11 pF ?Low Insertion Loss
描述与应用 ?N沟道JFETs ?低导通电阻:J108<8 ?快速开关吨:4纳秒 ?低漏电流:20 pA的 ?低电容:11 pF的 ?低插入损耗
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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