SSM6P05FU DH 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-200mA/-0.2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
3300m?@ VGS = -4V, ID = -100mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6~-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type ●Power Management Switch ●High Speed Switching Applications ●Small package ● Low on resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = ?2.5 V) Low gate threshold voltage |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 ?●电源管理开关 ?●高速开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =3.3Ω（最大）（@ VGS=-4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS=-2.5 V） 低栅极阈值电压 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
