SSM6N7002FU NC 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
200mA/0.2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
3?@ VGS = 10V, ID = 500mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0~2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ?High Speed Switching Applications ?Analog Switch Applications ? Small package ? Low ON resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 3.2 Ω (max) (@VGS = 5 V) : Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 10 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ?高速开关应用 ?模拟开关应用 ?小型封装 ?低导通电阻RON =3.3Ω（最大值）（@ VGS= 4.5 V） RON=3.2Ω（最大）（@ VGS= 5 V） ：RON =3.0Ω（最大值）（@ VGS= 10 V） |
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