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SM2N7002E
 型号：  SM2N7002E
 标记/丝印/代码/打字：  S72
 厂家：  台产
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  6000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SM2N7002E S72 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Low Threshold Load Switch for Portable Devices Low Power Consumption Increased Battery Life ? Ultra Low Voltage Load Switch Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High input impedance High speed switching
描述与应用 1.2-V的N沟道MOSFET（G-S） 用于便携式设备的低阈值负荷开关 - 低功耗 - 延长电池寿命 ?超低电压负荷开关 先进沟道工艺技术 高密度电池设计超低导通电阻 高输入阻抗 高速开关
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