SI5904DC-T1-E3 CB5AA 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
143m?@ VGS =2.5V, ID =2.3A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.1W |
| Description & Applications |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES Trench FET Power MOSFET 2.5-V Rated |
| 描述与应用 |
双N沟道2.5-V（G-S）的MOSFET 特点 沟槽FET功率MOSFET 2.5 V额定 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
