|
|
|
|
|
|
|
SI5402BDC ADO 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
6.7A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
35m?@ VGS =10V, ID =4.9A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1~3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2.5W |
| Description & Applications |
N-Channel, 30-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
30-V（D-S）的MOSFET N通道 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI5402BDC |
ADO |
VISHAY |
06+NOPB |
1206-8/vs-8 |
1735 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
|
|
|
