SI4953DY 4953 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.9A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
95m?@ VGS = -4.5V, ID = -3.6A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET FEATURES 100% Rg Tested |
| 描述与应用 |
双P沟道30-V（D-S）的MOSFET 特点 100％的Rg测试 |
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