SI3911DV-T3-E3 11 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
300m?@ VGS = -1.8V, ID = -1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
830mW/0.83W |
| Description & Applications |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
双P沟道20-V（D-S）的MOSFET |
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