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SI3900DV OOL 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
200m?@ VGS =2.5V, ID =1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
830mW/0.83W |
| Description & Applications |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
双N沟道 20-V（D-S）的MOSFET |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI3900DV |
OOL |
VISHAY |
05+NOPB |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
150 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
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