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SI3865DV
 型号:  SI3865DV
 标记/丝印/代码/打字:  65
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOT-163
 批号:  05+
 库存数量:  50
 所属分类:  电源管理ICPower Management IC/PMIC
  电源分配开关Power Distribution Switche
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SI3865DV 65 的参数

类型 Type 高端开关 high-side
输出数 Number of Outputs 1
Rds (On) 60mΩ
内部开关 Internal Switch(s) 有 YES
电流限制 Current Limit 2.9A
电压 - 输入 Voltage - Input 1.8V~8V
Description & Applications Load Switch with Level-Shift ? 80-mr Low rDS(on) TrenchFET ? 1.8 to 8-V Input ? 1.5 to 8-V Logic Level Control ? Low Profile, Small Footprint TSOP-6 Package ? 3000-V ESD Protection On Input Switch, VON/OFF ? Adjustable Slew-Rate The Si3865DV includes a p- and n-channel MOSFET in a single TSOP- package. The low on-resistance p-channel TrenchFET is tailored for use as a load switch. The n-channel, with an external resistor, can be used as alevel-shift to drive the p-channel load-switch. The n-channel MOSFET has internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5-V. The Si3865DV operates on supply lines from 1.8 to 8-V, and can drive loads up to 2.7 A.
描述与应用 负荷开关电平转换 ?80-MR低RDS(ON)的TrenchFET? ?1.8到8 V输入 ?1.5到8-V逻辑电平控制 ?薄型,占地面积小TSOP-6封装 ?3000 V ESD保护输入开关,VON/ OFF ?可调摆率 SI3865DV包括TSOP封装在一个单一的一个p-和n-沟道MOSFET。低导通电阻的P通道的TrenchFET?是专为使用作为负载开关。 n-沟道,外部电阻器,可用于作为的alevel移位驱动的p-沟道负载开关。 n-沟道MOSFET具有内部的ESD保护和低至1.5-V可以由逻辑信号。 SI3865DV操作从1.8到8-V的供应线,并且可以驱动负载可达2.7 A。
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