SI3812DV 12 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
N沟道 N-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
125m?@ VGS =4.5V, ID =2.4A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.48V@IF=500mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
830mW/0.83W |
| Description & Applications |
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode |
| 描述与应用 |
20-V（D-S） N沟道MOSFET与肖特基二极管 |
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