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型号: |
SI3434DV |
标记/丝印/代码/打字: |
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厂家: |
VISHAY |
封装: |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
技术文档PDF: |
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在线购买 |
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SI3434DV 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
4.6A |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
50m?@ VGS =2.5V, ID =2A |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.14W |
Description & Applications |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Trench FET Power MOSFET Applications Li-lon Battery Protection |
描述与应用 |
N沟道30-V(D-S)的MOSFET沟槽FET功率MOSFET 应用 锂离子电池保护 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
SI3433DV-T1-E3 |
3A |
VISHAY |
05+ROHS |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
37300 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI3434DV |
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VISHAY |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
SI3433BDV-T1-E3 |
B3 |
VISHAY |
10NOPB |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
2990 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI3433CDV-T1-E3 |
AX |
VISHAY |
10+ROHS |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI3433DV-T1-E3 |
3A |
VISHAY |
05+nopb |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI3433CDV-T1-E3 |
AX |
VISHAY |
10NOPB |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
54000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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