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SI2319DS
 型号：  SI2319DS
 标记/丝印/代码/打字：  C9
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI2319DS C9 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -40V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.065Ω @-3A,-10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0--3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications FEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用 功率MOSFET
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