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SI2308DS
 型号：  SI2308DS
 标记/丝印/代码/打字：  8W
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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SI2308DS 8W 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -60v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 0.0005ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -1.5v
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications ?N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
描述与应用 ?N沟道60-V（D-S）的场效应管
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