|
|
|
型号: |
SI1026X |
标记/丝印/代码/打字: |
ET4v |
厂家: |
VISHAY |
封装: |
SOT-563/SC-89 |
批号: |
05+ |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET 复合场效应管Complex FET MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
技术文档PDF: |
在线阅读 |
|
|
在线购买 |
|
|
|
|
SI1026X ET4v 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
305mA/0.305A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
1.4?@ VGS =10V, ID =500mA |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
1~2.5V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
Description & Applications |
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ? Low On-Resistance ? Low Threshold ? Low Input Capacitance ? Fast Switching Speed ? Low Input and Output Leakage ? ESD Protected ? Miniature Package ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,Memories, Transistors, etc. ? Battery Operated Systems ? Solid-State Relays |
描述与应用 |
N沟道60 V(D-S)的MOSFET 特点 ??无卤素根据IEC 61249-2-21定义 ??低导通电阻 ??低门槛 ??低输入电容 ??开关速度快 ??低输入和输出泄漏 ??ESD保护 ??微型包装 ??符合RoHS指令2002/95/EC 应用 ??驱动器:继电器,螺线管,灯,锤子,显示器,记忆,晶体管等。 ??电池供电系统 ??固态继电器 |
技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
|
|
|
|
相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
SI1021R |
FWA |
VISHAY |
05+ |
SOT-523/SC-75A/SC-89 |
4350 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI1022R |
EGC |
VISHAY |
05+ |
SOT-523/SC-75A |
2900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
SI1023X |
|
VISHAY |
04+ |
SOT-563 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
SI1023X |
BNB |
VISHAY |
05+ |
SOT-563 |
12000 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
SI1024X |
CB |
VISHAY |
05+NOPB |
SOT-563/SC-89 |
900 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
SI1025X |
DVA |
VISHAY |
05+ |
SOT-563 |
624000 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
SI1025X |
DVA |
VISHAY |
05+ |
SOT-563 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
SI1026X |
ET4v |
VISHAY |
05+ |
SOT-563/SC-89 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
SI1022R |
egc |
VISHAY |
05+5rnopb(打标) |
SOT-523/SC-75A |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
SI1021R-T1-GE3 |
FWA |
VISHAY |
10nopb |
SOT-523/SC-75A/SC-89 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI1024X |
CB |
VISHAY |
05+nopb |
SOT-563/SC-89 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel |
查看 |
SI1021R-T1-GE3 |
|
VISHAY |
10NOPB |
SOT-523/SC-75A/SC-89 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
SI1021R |
NX |
HB |
12+ROHS |
SOT-523 |
12000 |
场效应管FET |
查看 |
|
|
|