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SGM2004M-T8
 型号：  SGM2004M-T8
 标记/丝印/代码/打字：  E
 厂家：  SONY
 封装：  SOT-143/M-254
 批号：  02+
 库存数量：  26600
 所属分类：  场效应管FET
  MESFET-N沟道MESFET N-Channel
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SGM2004M-T8 E 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 12V
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -5V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 8mA-28mA
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications GaAs N-Channel Dual gate MES FET UHF band amplifier,mixer and oscillator Low voltage operation Low noise High gain Low cross-modulation High stability Built gate-protection diode
描述与应用 砷化镓N沟道双栅MES场效应管 超高频频段的放大器，混频器和振荡器 低电压操作 低噪音 高增益 低交叉调制 高稳定性 内置栅极保护二极管
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