SBT5551 FNF 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
160V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
600mA/0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz~400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
80~250 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Silicon Transistor ? high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V ? Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) ? Complementary pair with SBT5401 Descriptions ? General purpose amplifier ? High voltage application |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN硅晶体管 ?高集电极击穿电压：VCBO=180V，VCEO=160V ?低集电极饱和电压VCE（星期六）= 0.5V（最大值） ?互补配对SBT5401 简述 ?通用放大器 ?高电压施加 |
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