SBT5401 NFN 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-160V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?150V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?600mA/- 0.6A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100~400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~240 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?200mV/-0.2V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP Silicon Transistor Description ? General purpose amplifier ? High voltage application Features ? high collector breakdown voltage ? Low collector saturation voltage ? Complementary pair with SBT5551 |
| 描述与应用 |
PNP硅晶体管 描述 ?通用放大器 ?高电压施加 特点 ?高集电极击穿电压 ?低集电极饱和电压 ?互补配对SBT5551 |
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