SBFP540M MC 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
14V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
4.5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
80mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
29GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
50~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
Features ? NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor ? Low noise : NF=0.9dB typ (f=1.8GHz). ? High cut-off frequency : fT=20GHz typ (VCE=1V).: fT=29GHz typ (VCE=4V). ? Low voltage operation. ? High Gain : ?S21e?2=18.5dB typ (f=1.8GHz) ? UHF to C Band Low Noise Amplifier,Low Phase Noise Oscillation Applications |
| 描述与应用 |
特点 ?NPN平面外延硅晶体管 ?低噪音：NF=0.9分贝典型值（F =1.8GHz的）。 ?高截止频率：FT =20GHz的典型值（VCE=1V）：FT =29GHz典型（VCE=4V）。 ?低电压操作。 ?高增益：?S21E?2=18.5分贝典型值（F =1.8GHz的） ?UHF到C波段低噪声放大器，低相位噪声振荡应用 |
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