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S-24CS16AOI-H6T1
 型号:  S-24CS16AOI-H6T1
 标记/丝印/代码/打字:  D13
 厂家:  SEIKO
 封装:  WLP-6A
 批号:  05+NOPB700
 库存数量:  800
 所属分类:  集成电路ICIntegrated Circuit(IC)
  存储器Memory
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S-24CS16AOI-H6T1 D13 的参数

存储器格式 Format - Memory EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial
存储器类型 Memory Type EEPROM
存储容量 Memory Size 2K (128 x 16)
速度 Speed 100kHz,400kHz
接口 Interface I2C,2 线串口 I2C, 2-Wire Serial
电源电压 Voltage - Supply 2.7 V ~ 5.5 V
Description & Applications 2-WIRE CMOS SERIAL E2PROM Features ? Low power consumption Standby: 5.0 μA Max. (VCC = 5.5 V) Read: 0.8 mA Max. (VCC = 5.5 V) ? Operating voltage range Read: 1.8 to 5.5 V Write: 2.7 to 5.5 V ? Page write: 16 bytes / page ? Sequential read ? Operating frequency: 400 kHz (VCC = 5 V ±10 %) ? Write disable function when power supply voltage is low ? Endurance: 106 cycles / word *1 (at +25 °C) write capable, 105 cycles / word *1(at +85 °C) *1. For each address (Word: 8 bits) ? Data retention: 10 years (after rewriting 105 cycles / word at +85 °C) ? Write protection: 100% ? Lead-free products
描述与应用 MOS 2线串行E2PROM ?低功耗待机模式:5.0μA最大。 (VCC = 5.5 V) 阅读:0.8 mA最大。 (VCC = 5.5 V) ?工作电压范围读出:1.8至5.5 V 写:2.7至5.5 V ?页写入16字节/页 ?顺序读出 ?工作频率:400千赫(VCC = 5 V±10%) ?写禁用功能,当电源电压低 ?耐久性:106次/字 *1(+25°C)写能力, 105次/字 * 1(在+85°C) * 1。对于每一个地址(字:8位) ?数据保存期:10年(后改写105 次/字,在+85°C) ?写保护:100% ?无铅产品
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
S-24CS01APH-TF-G S01 SEIKO 05+ SNT-8A 4480 集成电路ICIntegrated Circuit(IC)-存储器Memory 查看
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