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RN4985
 型号：  RN4985
 标记/丝印/代码/打字：  6E
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/US6/SC70-6
 批号：  13+288.5KROHS
 库存数量：  186400
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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RN4985 6E 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/-100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.0468
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.0468
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz/200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Includeing two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) ? With built-in bias resistors ? Simplify circuit design ? Reduce a quantity of parts and manufacturing process Applications ? Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications.
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型（PCT工艺）（PCT工艺） ?包括，两个设备US6（超超级迷你型6引线） ?内置偏置电阻 ?简化电路设计 ?减少了部件数量和制造工艺 应用 ?开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用。
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