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RN46A1
 型号：  RN46A1
 标记/丝印/代码/打字：  11
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-163/SM6/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  12000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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RN46A1 11 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 22KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 22KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 10KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 70/50
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz/250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Features ?TOSHIBA Transistor Silicon PNP·NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) ?Two devices are incorporated into an Super-Mini (6 pin) package. ?Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost. Applications ?Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications.
描述与应用 特点 ?东芝硅PNP晶体管NPN外延型（PCT进程）（偏置电阻晶体管） ?两个设备都纳入一个超小型封装（6针）。 ?将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。减少零件数，使制造比以往更紧凑的设备和装配成本。 应用 ?开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用。
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