RK7002 RKM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
115mA/0.115A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
7.5Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-2.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
Interface and switching (60V, 115mA) Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA (safe operating area). Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel. |
| 描述与应用 |
接口和开关（60V，115毫安） 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用 |
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