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QS6M3
 型号：  QS6M3
 标记/丝印/代码/打字：  M03
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSMT6
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  533
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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QS6M3 M03 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V/12V
最大漏极电流Id Drain Current 1.5A/-1.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 360m?@ VGS =2.5V, ID =1A/430m?@ VGS =-2.5V, ID =-0.75A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.5V/-0.7~-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Small switching Features Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT6). Application Power switching, DC / DC converter.
描述与应用 小开关 特点 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT6）。 应用 电源开关，DC / DC变换器。
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