QS6K1 K01 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
10A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
364m?@ VGS =2.5V, ID =1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
2.5V Drive Nch+Nch MOS FET Features Low on-resistance. Built-in G-S Protection Diode. Small and Surface Mount Package (TSMT6). Application Power switching, DC / DC converter. |
| 描述与应用 |
2.5V驱动N沟道+ N沟道MOS FET 特点 低导通电阻。 内置G-S的保护二极管。 小和表面贴装封装（TSMT6）。 应用 电源开关，DC / DC变换器。 |
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