QS5K2 K02 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
154m?@ VGS =2.5V, ID =2A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
2.5V Drive Nch+Nch MOSFET Features Low On-resistance. Space saving, small surface mount package (TSMT5). Applications Switching |
| 描述与应用 |
2.5V驱动N沟道+ N沟道MOSFET 特点 低导通电阻。 节省空间，小型表面贴装封装（TSMT5）。 应用 交换 |
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