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PUMD10
 型号:  PUMD10
 标记/丝印/代码/打字:  Dt0
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-363/SC-88/SC70-6
 批号:  03+
 库存数量:  32
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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PUMD10 Dt0 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA/-100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.047
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 2.2KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 230MHz/180MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications Features ? NPN/PNP resistor-equipped transistors; ? 100 mA output current capability ? Reduces component count ? Built-in bias resistors ? Reduces pick and place costs ? Simplifies circuit design ? AEC-Q101 qualified APPLICATIONS ? Low current peripheral drivers ? Replacement of general purpose transistors in digital applications ? Control of IC inputs
描述与应用 特点 ?NPN/ PNP电阻配备晶体管; ?100 mA的输出电流能力 ?减少了元件数量 ?内置偏置电阻 ?减少取放成本 ?简化电路设计 ?通过AEC-Q101标准 应用 ?低电流外设驱动程序 ?通用晶体管数字应用的更换 ?控制IC投入
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