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PMV65XP WM9 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.065Ω @-1A,-4.7V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.47--0.9 |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
480mW/0.48W |
| Description & Applications |
20 V, single P-channel Trench MOSFET Low threshold voltage Low on-state resistance Trench MOSFET technology |
| 描述与应用 |
20 V，单P沟道沟道MOSFET 低阈值电压 低通态电阻 沟道MOSFET技术 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| PMV117EN |
WM1 |
NXP/PHILIPS |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
1800 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| PMV31XN |
WM4 |
NXP/PHILIPS |
06NOPB |
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0 |
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| PMV65XP |
WM9 |
NXP/PHILIPS |
05NOPB |
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| PMV65XP |
WM9 |
NXP/PHILIPS |
05+NOPB150 |
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200 |
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W35 |
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09NOPB |
SOT-23/SC-59 |
400 |
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| PMV56XN |
WM5 |
NXP/PHILIPS |
1036NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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| PMV45EN |
W4N |
NXP/PHILIPS |
10+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
700 |
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