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PMGD780SN
 型号：  PMGD780SN
 标记/丝印/代码/打字：  D7
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  05+20KROHS
 库存数量：  22600
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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PMGD780SN D7 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 490mA/0.49A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 1.4?@ VGS =4.5V, ID =75mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1V
耗散功率Pd Power Dissipation 990mW/0.99W
Description & Applications Dual N-channel Trench MOS standard level FET Description Dual N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Standard level threshold voltage Fast switching Low on-state resistance Dual device. Applications Driver circuits Switching in portable appliances
描述与应用 双N沟道的海沟MOS标准水平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 表面贴装封装 底印比SOT23小40％ 标准电平阈值电压 快速开关 低通态电阻 双设备。 应用 驱动电路 在便携式电器开关
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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