PMGD780SN D7 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
490mA/0.49A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
1.4?@ VGS =4.5V, ID =75mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
990mW/0.99W |
| Description & Applications |
Dual N-channel Trench MOS standard level FET Description Dual N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Surface mounted package Footprint 40% smaller than SOT23 Standard level threshold voltage Fast switching Low on-state resistance Dual device. Applications Driver circuits Switching in portable appliances |
| 描述与应用 |
双N沟道的海沟MOS标准水平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 表面贴装封装 底印比SOT23小40％ 标准电平阈值电压 快速开关 低通态电阻 双设备。 应用 驱动电路 在便携式电器开关 |
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