PMBT2369 1J 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
500MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
250mV/0.25V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
NPN switching transistors FEATURES ? Low current (max. 200 mA) ? Low voltage (max. 15 V). APPLICATIONS ? High-speed switching, especially in portable equipment. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT23 plastic package |
| 描述与应用 |
NPN开关晶体管 特点 ?低电流（最大200毫安） ?低电压（最大15 V）。 应用 ?高速切换，特别是在便携式设备。 说明 NPN开关晶体管在SOT23塑料包装 |
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